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半導(dǎo)體芯片冷熱沖擊試驗(yàn)方法高低溫沖擊試驗(yàn)箱
點(diǎn)擊次數(shù):853 更新時(shí)間:2023-08-21

半導(dǎo)體芯片冷熱沖擊試驗(yàn)方法高低溫沖擊試驗(yàn)箱

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目的:

芯片在生產(chǎn)過程中,需要對其進(jìn)行冷熱沖擊試驗(yàn)。一般情況下,民用芯片的正常工作溫度范圍是 0℃-70℃,其他芯片性能更高,正常工作溫度范圍是 -55℃-125℃。以上溫度范圍都是芯片工作下的溫度范圍,當(dāng)芯片不工作時(shí),可以承受超過 200℃ 的焊接溫度。

試件:

將試件芯片通電置于置物架上;

根據(jù)要求設(shè)定試驗(yàn)溫度:

首先對試件進(jìn)行低溫試驗(yàn),再進(jìn)行高溫試驗(yàn),循環(huán)次數(shù)依要求進(jìn)行:記錄半導(dǎo)體芯片工作狀態(tài)下,在設(shè)定溫度下的相關(guān)參數(shù),對產(chǎn)品分析,工藝改進(jìn)以及批次的定向品質(zhì)追溯提供確實(shí)的數(shù)據(jù)依據(jù)。

試件從低溫或是高溫試驗(yàn)開始,不同標(biāo)準(zhǔn)有不同的解析。若試驗(yàn)從低溫段開始,試驗(yàn)結(jié)束在高溫段,若試驗(yàn)從高溫段開始,結(jié)束在低溫段。為防止試件在試驗(yàn)結(jié)束后表面產(chǎn)品凝露,試驗(yàn)結(jié)束在低溫段時(shí)需要增加烘干恢復(fù)的過程,這樣就增加了試驗(yàn)周期,建議試驗(yàn)從低溫段開始,結(jié)束在高溫段。

溫度范圍:-65℃~150℃

低溫沖擊:-40℃,-55℃,-65℃

高溫沖擊:65℃,85℃,125℃

溫度沖擊時(shí)間小于3min,1min

溫度保持時(shí)間30min,60min

測試時(shí)間不能少于1000個(gè)循環(huán)

熱壓器/無偏壓 HAST測試 參考標(biāo)準(zhǔn):JESD22-A118

溫度范圍:100℃~143℃

濕度范圍:70%RH~100%RH

壓力范圍:0.5kg~3.5kg

測試時(shí)間不能少于200小時(shí),具體根據(jù)用戶實(shí)際要求,有些需要達(dá)到500小時(shí)到1000小時(shí)等不同時(shí)間

其他測試標(biāo)準(zhǔn):GB/T 2423.1-2001 試驗(yàn)A:低溫試驗(yàn)方法,試驗(yàn)B:高溫試驗(yàn)方法,GJB 150.3-1986 高溫試驗(yàn), 低溫試驗(yàn), GB 11158《高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件》, IEC60068-2-14 等測試標(biāo)準(zhǔn)。


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